1. 长江存储第四代闪存芯片几纳米

长江存储第四代闪存芯片几纳米

14nm。

长江存储的3D NAND闪存芯片工艺制程已经迈向14nm级别。

闪存颗粒并不像手机芯片那样，对纳米工艺要求那么高。3D flash的堆叠层数和存储密度更为重要，相反更大的制程，耐久度更高。flash本来就是消耗品，使用寿命是非常重要的。所以20nm制程足够了。